EFE
El Instituto de Ciencia y Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC), ha descubierto nuevas propiedades y cambios de comportamiento de los electrones en un nuevo material, los óxidos de transición, que pueden revolucionar el futuro de la electrónica y sustituir al silicio usado actualmente en componentes electrónicos.
La investigación liderada por científicos del ICMAB-CSIC ha mostrado que el comportamiento de los electrones en los óxidos de transición, nuevos materiales propuestos para la futura electrónica, depende también de la orientación cristalina del material.
El trabajo, que se ha publicado en la revista “Nature Communications”, arroja pistas para la investigación y para conseguir propiedades óptimas en los materiales, según el director de la investigación Gervasi Herranz, científico del CSIC.
Entre los nuevos materiales, los óxidos de transición despiertan gran interés entre la comunidad científica porque tienen propiedades que están ausentes en materiales convencionales.
Herranz ha explicado que “con la actual electrónica de silicio, al apagar un ordenador, la información grabada en los circuitos de silicio se volatiliza, y sólo queda guardado lo que se ha grabado en el disco duro. Eso supone tiempo de procesamiento, de mover (grabar) la información de la RAM al disco duro o viceversa”.
2015-01-16